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元件参数资料
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参数目录36577
> MJD3055G TRANS POWER NPN 10A 60V DPAK
型号:
MJD3055G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
TRANS POWER NPN 10A 60V DPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
MJD3055G PDF
产品目录绘图
Transistor DPAK
标准包装
75
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
10A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
8V @ 3.3A,10A
电流 - 集电极截止(最大)
50µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
20 @ 4A,4V
功率 - 最大
1.75W
频率 - 转换
2MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
DPAK-3
包装
管件
产品目录页面
1561 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
MJD3055G-ND
MJD3055GOS
查看MJD3055G代理商
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